Алмаз подходит для электроники в качестве аналога кремния. Для данной отрасли он актуален благодаря устойчивости к высоким температуре (более 1300°C) и давлению (более 40 кбар). К тому же его электрические свойства можно менять путем легирования. За счет этого алмаз подходит как в качестве подложки для кремниевых структур, так и в виде платформы для полупроводниковых материалов. Однако обширному его внедрению препятствуют сложность и высокая стоимость обработки.
По сообщению Минобрнауки, сотрудниками Российского технологического университета МИРЭА разработан транзистор на основе алмаза.
Ученые использовали кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 мкм, полученный методом термохимической обработки. Это позволило значительно повысить электрофизические свойства транзистора за счет устранения поверхностных дефектов. Так, по словам заведующего лабораторией Алмазная СВЧ-электроника, производительность возросла на 10-15%. К тому же новый материал обеспечил энергоэффективность, термостойкость и радиационную устойчивость.
Новые транзисторы будут особо актуальными для применения в экстремальных условиях в космической технике и ядерной энергетике. Помимо этого предполагается использовать их в новых системах связи, РЛС, промышленной электронике, медицинском оборудовании.
